第34回シンポジウム

注意
・参加費はクレジットカードにてお支払いください。
・参加者による録画・録音は参加形態によらず一切禁止とします。
・講演内容のオンデマンド配信は行いません。
・会議URLならびに講演資料は参加申込者にのみ開催日前日にメールにてお送りします。
・懇親会は行いません。

開催趣旨
原子層堆積(ALD)法、原子層エッチング(ALE)法などのアトミックレイヤープロセス(ALP)は材料表面を原子層レベルで精密に制御できる技術として、半導体分野を中心に発展してきました。近年、任意箇所に材料を堆積する、あるいは任意箇所の材料を除去する、選択ALD・選択ALEも求められるようになってきました。ALPが１原子層ごとに堆積や除去を行えるのは、反応性ガスが基板表面に単層のみ化学的に吸着することを利用しているからであり、その吸脱着特性の下地依存性が選択性発現の鍵となります。本シンポジウムでは選択ALDおよび選択ALEの技術的課題や解決方法を議論したいと思います。多数のご参加をお待ちしております。